Samsung gaat vanaf 2021 gate-all-aroundtransistors gebruiken voor 3nm-chips
Samsung heeft de 0.1-versie gereed van een 3nm-procedé waarbij gebruikgemaakt wordt van gate-all-aroundtransistors. Daarbij kunnen transistors op elkaar gestapeld worden, wat kleinere en zuinigere chips mogelijk maakt. Eind 2021 begint de massaproductie.
Write a Comment